WHU টিম AlInGaN/AlGaN সুপারল্যাটিস ইলেক্ট্রন ব্লকিং স্তর প্রবর্তন করে UV LED-এর উন্নত কোয়ান্টাম দক্ষতা দেখায়।
উহান বিশ্ববিদ্যালয়ের Shengjun Zhou-এর নেতৃত্বে একটি গবেষণা দল অতিবেগুনী আলো-নির্গত ডায়োড (UV LEDs) এর কার্যকারিতা উন্নত করতে ইলেক্ট্রন ব্লকিং লেয়ার (EBL) এর একটি বিশেষ নকশার রিপোর্ট করেছে। তারা ~371 nm UV LED-এর কোয়ান্টাম দক্ষতা বাড়ানোর জন্য একটি AlInGaN/AlGaN সুপারল্যাটিস ইলেক্ট্রন ব্লকিং লেয়ার (SEBL) প্রস্তাব করেছে।
ইউভি এলইডিগুলি অসাধারণ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ক্রমবর্ধমান আগ্রহ অর্জন করেছে, যেমন লিথোগ্রাফি, চিকিৎসা নিরাময়, 3D প্রিন্টিং, গ্যাস সেন্সিং, উদ্ভিদ আলো, এবং সাদা এলইডিগুলির পাম্পিং উত্স৷ যাইহোক, UV LEDs-এর তুলনামূলকভাবে কম কোয়ান্টাম দক্ষতা দৃশ্যমান প্রতিপক্ষের তুলনায় তাদের আরও ব্যাপক ব্যবহারে বাধা দেয়।
গবেষকরা দেখিয়েছেন যে AlInGaN/AlGaN SEBL-এর প্রবর্তন শক্তি ব্যান্ড মড্যুলেশন দ্বারা উচ্চ-দক্ষতা UV LEDs অর্জন করতে পারে। SEBL এর স্ট্রেন শিথিলকরণ প্রভাবের কারণে কোয়ান্টাম ওয়েলের কম কাত শক্তি ব্যান্ড ক্যারিয়ার ওয়েভ ফাংশনগুলির বিচ্ছেদকে প্রশমিত করতে পারে। SEBL এর কন্ডাকশন ব্যান্ডে ইলেকট্রন এবং নচের জন্য কার্যকরী বাধা উচ্চতা কার্যকরভাবে ইলেক্ট্রন লিকেজ দমন করবে।
অধিকন্তু, SEBL এর ভ্যালেন্স ব্যান্ডের স্পাইকগুলি গর্তকে আকর্ষণ করতে পারে, যার ফলে সক্রিয় অঞ্চলে গর্ত ইনজেকশনের সুবিধা হয়। এই উল্লেখযোগ্য সুবিধাগুলি থেকে উপকৃত হয়ে, AlInGaN/AlGaN SEBL-এর সাথে UV LED, AlInGaN EBL-এর সাথে UV LED-এর তুলনায় 21 শতাংশ বেশি আলো আউটপুট শক্তি এবং ছোট ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ প্রদর্শন করে।
উপরের ছবিগুলি দেখায় (ক) UV LEDs কাঠামোর ক্রস-বিভাগীয় TEM চিত্রগুলি৷ (b) 60 mA এ UV LED চিপের EL চিত্র।
371 এনএম অতিবেগুনী আলো-নিঃসরণকারী ডায়োড' এর কোয়ান্টাম দক্ষতা বাড়ানোর জন্য যুক্তিযুক্ত সুপারল্যাটিস ইলেক্ট্রন ব্লকিং লেয়ার ডিজাইন;
